型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NAND02GW3B2DN6E

2-Gbit,2112-byte/1056-wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDflashmemories

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NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
NAND02GW3B2DN6E

封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 包装:管件 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP 集成电路(IC) 存储器

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

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恒忆

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NAND02GW3B2DN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND02GW3B2DN6E

  • 功能描述

    IC FLASH 2GBIT 48TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA(13x15)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

更新时间:2024-4-26 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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