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N32T1630C1EZ

32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM

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未分类制造商

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32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS Pseudo SRAM

Overview The N32T1630C1C is an integrated memory device containing a 32 Mbit SRAM built using a self-refresh DRAM array organized as 2,097,152 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and ultra-low powe

NANOAMP

32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS Pseudo SRAM

Overview The N32T1630C1C is an integrated memory device containing a 32 Mbit SRAM built using a self-refresh DRAM array organized as 2,097,152 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and ultra-low powe

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N32T1630C1EZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    N32T1630C1EZ

  • 功能描述

    32Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM

更新时间:2026-5-13 16:43:00
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国民技术
25+
1515
只做原装鄙视假货15118075546
NANOAMPSOLUTIONS
23+
BGA
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
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原装正品,假一罚十
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
Nations(国民技术)
25+
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500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
国民技术
2447
QFN-48
31500
2500个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
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最新
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SMD
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国民技术
25+/26+
QFN32
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