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MJ15004中文资料

厂家型号

MJ15004

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3

功能描述

Silicon Complimentary Power Transistor VCEO 140V, IC 20A, 250W, TO-3

两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W PNP

数据手册

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生产厂商

MULTICOMP

MJ15004数据手册规格书PDF详情

Features

High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min.) @ lc=25A DC

hFE = 400 (Min) @ lc= 50 Adc

2. Curves to 100 A (Pulsed)

3. Diode Protection to Rated lc

4. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor

5. Junction Temperature to +200°C

APPLICATIONS: For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

MJ15004产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ15004

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-5 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJ15004G 价格

参考价格:¥11.7782

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