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BD250C中文资料

BD250C
厂家型号

BD250C
文件大小

614.08Kbytes
页面数量

4页
功能描述

Complementary Power Transistor

两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon
数据手册

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生产厂商

MULTICOMP

相近规格书

BD250C数据手册规格书PDF详情

Description:

Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications.

Features:

• Collector-Emitter sustaining Voltage. VCEO(sus) = 100V (Min.)

• DC Current Gain hFE = 25 (Min.) at IC = 1.5A

• Current Gain Bandwidth Product fT = 3MHz (Min.) at IC = 1A

BD250C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD250C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BD250C供应商...

更新时间：2026-1-28 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BD250C 芯片相关型号

BD250C 晶体管资料

  • BD250C别名：BD250C三极管、BD250C晶体管、BD250C晶体三极管

  • BD250C生产厂家：美国得克萨斯仪表公司

  • BD250C制作材料：Si-PNP

  • BD250C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BD250C封装形式：直插封装

  • BD250C极限工作电压：100V

  • BD250C最大电流允许值：25A

  • BD250C最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD250C引脚数：3

  • BD250C最大耗散功率：125W

  • BD250C放大倍数：

  • BD250C图片代号：B-62

  • BD250Cvtest：100

  • BD250Chtest：999900

  • BD250Catest：25

  • BD250Cwtest：125

  • BD250C代换 BD250C用什么型号代替：BD258/100,TIP36C,3CD15D,

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