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MTP1N60中文资料

厂家型号

MTP1N60

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功能描述

Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate

数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

MTP1N60数据手册规格书PDF详情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This TMOS Power FET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100°C

• Designers Data — IDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature

• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

MTP1N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP1N60

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate

更新时间:2026-2-20 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
17+
TO-220
31518
原装正品 可含税交易
MOTOROLA/摩托罗拉
2026+
TO-220
54648
百分百原装现货 实单必成
MOTOROLA/摩托罗拉
2450+
TO220
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
onsemi(安森美)
25+
-
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ON
24+
N/A
1580
ON
16+
TO-220
10000
全新原装现货
MOT
05+
TO-220
3000
原装进口
O
23+
TO-220
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原装MOT
19+
TO-220
20000
VBsemi/台湾微碧
25+
TO-220
30000
代理全新原装现货,价格优势

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