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MTM55N10中文资料

厂家型号

MTM55N10

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功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

MTM55N10数据手册规格书PDF详情

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

These TMOS Power FETs are designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100°C

• Designers Data — IDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature

• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

MTM55N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTM55N10

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-10-28 16:45:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA
24+
TO-3
1100
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