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Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS
IRF823产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF823
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
更新时间：2025-10-7 14:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS |
23+ |
65480 |
|||||
IR |
22+ |
TO-220 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
||||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
HARRIS/哈里斯 |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VB |
21+ |
TO- |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
64772 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
I |
23+ |
TO- |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
HARRIS/哈里斯 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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- M38271M6MXXXFS
- M38275E4MXXXFS
- M38275E5MXXXFS
- M38275E6MXXXFS
- M38276M6MXXXFS
- M38277M5MXXXFS
- M38277M6MXXXFS
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- M38279E6MXXXFS
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