MoSys‌是一家专注于半导体嵌入式内存知识产权（IP）开发的公司，总部位于美国加利福尼亚州的Sunnyvale。该公司成立于1991年，主要产品包括1T-SRAM和1T-FLASH技术，这些技术以其高密度、低功耗、高速和低成本的特点在市场上具有竞争优势‌。

MoSys的1T-SRAM和1T-FLASH技术被广泛应用于各种硅工艺和应用程序中，其许可客户已经生产了超过1.1亿颗芯片，展示了其在制造方面的卓越性能‌。此外，MoSys还扩展了其技术范围，包括混合信号技术和高速串行接口，适用于通信市场‌。

在2021年，MoSys被PERASO Technologies和PERASO Inc.合并，形成了PERASO Inc.，这标志着公司在5G通信领域的进一步发展‌。

1T-SRAM和1T-FLASH技术