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S30D45CE中文资料

厂家型号

S30D45CE

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功能描述

Schottky Barrier Rectifiers

数据手册

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生产厂商

MOSPEC

S30D45CE数据手册规格书PDF详情

SchottkyBarrier Rectifiers

Using the SchottkyBarrier principle with a Molybdenum barrier metal.

These state-of-the-art geometryfeatures epitaxial construction with oxide passivation and metal overlaycontact. Ideallysuited for lowvoltage, high frequencyrectification, or as free wheeling and polarityprotection diodes.

*LowForward Voltage.

*LowSwitching noise.

*High Current Capacity

*Guarantee Reverse Avalanche.

*Guard-Ring for Stress Protection.

*LowPower Loss & High efficiency.

*150℃ Operating Junction Temperature

*LowStored Charge MajorityCarrier Conduction.

*Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O

S30D45CE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    S30D45CE

  • 制造商

    MOSPEC

  • 制造商全称

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述

    Schottky Barrier Rectifiers

更新时间:2025-10-10 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOSPEC
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