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S30C30CE中文资料

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S30C30CE

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功能描述

Schottky Barrier Rectifiers

数据手册

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生产厂商

MOSPEC

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Schottky Barrier Rectifiers

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.

* Low Forward Voltage.

* Low Switching noise.

* High Current Capacity

* Guarantee Reverse Avalanche.

* Guard-Ring for Stress Protection.

* Low Power Loss & High efficiency.

* 150℃ Operating Junction Temperature

* Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.

* Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O

S30C30CE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    S30C30CE

  • 制造商

    MOSPEC

  • 制造商全称

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述

    Schottky Barrier Rectifiers

更新时间:2025-8-10 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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