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MGFK33V4045中文资料

厂家型号

MGFK33V4045

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功能描述

14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET?

14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

MGFK33V4045数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MGFK33V4045 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 14.0 ~ 14.5 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● Flip-chip mounted

● High output power

P1dB = 2.0W (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz

● High linear power gain

GLP = 7.0dB (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz

● High power added efficiency

ηadd = 22 (TYP.) @ f = 14.0 ~ 14.5GHz, P1dB

APPLICATION

For use in 14.0 ~ 14.5 GHz-band amplifiers

MGFK33V4045产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGFK33V4045

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

更新时间:2025-10-11 17:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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