位置：MGFC45V3642A > MGFC45V3642A详情
MGFC45V3642A中文资料
MGFC45V3642A数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
The MGFC45V3642A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 3.6 - 4.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Class A operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power P1dB = 32W (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz
High power gain GLP = 11 dB (TYP.) @ f=3.6 - 4.2GHz
High power added efficiency P.A.E. = 36 (TYP.) @ f=3.6 - 4.2GHz
Low distortion [item -51] IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.
APPLICATION
item 01 : 3.6 - 4.2 GHz band power amplifier
item 51 : 3.6 - 4.2 GHz band digital radio communication
MGFC45V3642A产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGFC45V3642A
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
3.6 - 4.2GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
||||
MITSUBISHI |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
|||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
MITSUBISHI |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯达集团”专营品牌原装正品假一罚十 |
|||
MITSUBI |
18+ |
GF-38 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
MITSUBI |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
MGFC45V3642A 资料下载更多...
MGFC45V3642A 芯片相关型号
- 83A2C-B12-K10L
- 83B3A-C12-K10L
- 83C1A-C12-K10L
- 83D1C-B12-K10L
- AA3022YC-4.5SF
- B43510
- B43511
- B59008C0145A040
- B72207S2141K101
- B72220S2131K101
- M3H17FBD
- M3H38FBD
- MAH18TCX
- MGFC44V5964
- MGFC44V5964_97
- MHO+18TFD-R
- MHO+56TFD-R
- MHO+58TFD-R
- MHO+78TFD-R
- MR0S16ACTS35C
- MR1S08ACTS35C
- MR4A08ACTS35C
- MR4A16AVYS35
- MR4S08AVYS35
- MR4S16AVYS35
- MRF7S21170HR3_07
- V300A15M250B
- V300B15M250B
- V48C15H250B
- XC6117A647
Mitsubishi相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Mitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机株式会社
中文资料: 19503条
三菱电机半导体（Mitsubishi Electric Semiconductor）是三菱电机株式会社的一部分，专注于半导体产品的开发和制造。公司成立于20世纪，并在全球范围内提供广泛的半导体解决方案，涵盖功率半导体、模拟和数字集成电路、微控制器和ASIC等产品。三菱电机半导体在电力、汽车、工业、通信以及消费电子等领域发挥着关键作用，致力于不断创新和技术进步，以满足日益增长的市场需求。凭借其强大的技术实力和可靠的产品质量，三菱电机半导体在全球半导体行业中占据重要地位。
