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MGFC36V7785A_04中文资料

厂家型号

MGFC36V7785A_04

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2

功能描述

7.7 ~ 8.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

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DESCRIPTION

The MGFC36V7785A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 7.7 ~ 8.5 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metalceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

Class A operation

Internally matched to 50(ohm) system

High output power

P1dB = 4W (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

High power gain

GLP = 8 dB (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

High power added efficiency

P.A.E. = 29 (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

Low distortion [ item -51 ]

IM3= -45 dBc(TYP.) @Po=25dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 7.7~8.5 GHz band power amplifier

item 51 : 7.7~8.5 GHz band digital radio communication

MGFC36V7785A_04产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGFC36V7785A_04

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    7.7 ~ 8.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

更新时间:2025-8-6 9:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
23+
NA
25060
只做进口原装,终端工厂免费送样
MITSUBISHI
2017+
SMD
1585
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MITSUBISHI
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MITSUBISHI/三菱
23+
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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24+
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MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
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M/A-COM
24+
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0402
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