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M5M51008BKV-10VL中文资料

厂家型号

M5M51008BKV-10VL

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68.53Kbytes

页面数量

7

功能描述

1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

数据手册

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生产厂商

MITSUBISHI

M5M51008BKV-10VL数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR are a 1048576-bit CMOS static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are

fabricated using high-performance triple polysilicon CMOS technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS periphery result in a high density and low power static RAM. They are low standby current and low operation current and ideal for the battery back-up application.

FEATURES

Package

Low stand-by current 0.3µA (typ.)

Directly TTL compatible : All inputs and outputs

Easy memory expansion and power down by S1,S2

Data hold on +2V power supply

Three-state outputs : OR - tie capability

OE prevents data contention in the I/O bus

Common data I/O

M5M51008BFP ············ 32pin 525mil SOP

M5M51008BVP,RV············ 32pin 8 X 20 mm2 TSOP

M5M51008BKV,KR ············ 32pin 8 X 13.4 mm2 TSOP

APPLICATION

Small capacity memory units

M5M51008BKV-10VL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M5M51008BKV-10VL

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

更新时间:2025-11-30 14:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
99+
TSSOP
234
原装现货
MITSUBISHI/三菱
2450+
DIP
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