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M5M29WT161BVP中文资料

厂家型号

M5M29WT161BVP

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23

功能描述

16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

16,777,216-BIT(1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

数据手册

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生产厂商

Mitsubishi Electric Semiconductor

简称

Mitsubishi三菱电机

中文名称

三菱电机株式会社官网

LOGO

M5M29WT161BVP数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MITSUBISHI Mobile FLASH M5M29GB/T161BWG are 3.3V-only high speed 16,777,216-bit CMOS boot block Flash Memories with alternating BGO (Back Ground Operation) feature. The BGO feature of the device allows Program or Erase operations to be performed in one bank while the device simultaneously allows Read operations to be performed on the other bank. This BGO feature is suitable for mobile and personal computing, and communication products. The M5M29GB/T161BWG are fabricated by CMOS technology for the peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR) architecture for the memory cells, and are available in 6x8-balls CSP (0.75mm ball pitch) .

APPLICATION

Digital Cellular Phone

Telecommunication

Mobile Computing Machine

PDA (Personal Digital Assistance)

Car Navigation System

Video Game Machine

M5M29WT161BVP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M5M29WT161BVP

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    16,777,216-BIT(1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

更新时间:2025-5-23 13:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
23+
NA
25060
只做进口原装,终端工厂免费送样
MITSUBISHI
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MITSUBISHI
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Mitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机株式会社

中文资料: 19503条

三菱电机半导体(Mitsubishi Electric Semiconductor)是三菱电机株式会社的一部分,专注于半导体产品的开发和制造。公司成立于20世纪,并在全球范围内提供广泛的半导体解决方案,涵盖功率半导体、模拟和数字集成电路、微控制器和ASIC等产品。三菱电机半导体在电力、汽车、工业、通信以及消费电子等领域发挥着关键作用,致力于不断创新和技术进步,以满足日益增长的市场需求。凭借其强大的技术实力和可靠的产品质量,三菱电机半导体在全球半导体行业中占据重要地位。