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JAN1N4100CUR-1中文资料

厂家型号

JAN1N4100CUR-1

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功能描述

SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册

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生产厂商

MICROSEMI

JAN1N4100CUR-1数据手册规格书PDF详情

• 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435

• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

• LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C

Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C

Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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