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APTGF150DH120G中文资料

厂家型号

APTGF150DH120G

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5

功能描述

Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6

数据手册

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生产厂商

MICROSEMI

APTGF150DH120G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APTGF150DH120G

  • 功能描述

    IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2025-10-11 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI
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