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APT45GP120JDQ2中文资料

厂家型号

APT45GP120JDQ2

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9860.83Kbytes

页面数量

44

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

IGBT 1200V 75A 329W SOT227

数据手册

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生产厂商

MICROSEMI

APT45GP120JDQ2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT45GP120JDQ2

  • 功能描述

    IGBT 1200V 75A 329W SOT227

  • RoHS

  • 类别

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 标准包装

    10

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT

  • 配置

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies)

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大

    1000W

  • 输入

    标准 NTC

  • 热敏电阻

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装

    SOT-227B

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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APT45GP120JDQ2 价格

参考价格:¥189.2334

型号:APT45GP120JDQ2 品牌:Microsemi 备注:这里有APT45GP120JDQ2多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,APT45GP120JDQ2批发/采购报价,APT45GP120JDQ2行情走势销售排排榜,APT45GP120JDQ2报价。