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位置：VP2106N3-G > VP2106N3-G详情

VP2106N3-G中文资料

VP2106N3-G
厂家型号

VP2106N3-G
文件大小

755.93Kbytes
页面数量

14页
功能描述

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MOSFET 60V 12Ohm
数据手册

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生产厂商

MICROCHIP

相近规格书

VP2106N3-G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VP2106N3-G

  • 功能描述

    MOSFET 60V 12Ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

VP2106N3-G供应商...

更新时间：2025-10-9 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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VP2106N3-G 价格

参考价格：￥1.5545

型号：VP2106N3-G 品牌：Microchip 备注：这里有VP2106N3-G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VP2106N3-G批发/采购报价，VP2106N3-G行情走势销售排排榜，VP2106N3-G报价。

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