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TIP30B中文资料

厂家型号	TIP30B
文件大小	56.36Kbytes
页面数量	1页
功能描述	COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS 两极晶体管 - BJT REORD 511-TIP30C TO-220 PNP GP POWER
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二
生产厂商	Micro Electronics
简称	MICRO-ELECTRONICS
中文名称	官网
LOGO

相近规格书

TIP30B数据手册规格书PDF详情

COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS

THE TIP29 SERIES (NPN) AND TIP30 SERIES (PNP) ARE COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS DESIGNED FOR POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING APPLICATIONS.

TIP30B产品属性

类型
描述
型号
TIP30B
功能描述
两极晶体管 - BJT REORD 511-TIP30C TO-220 PNP GP POWER
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

TIP30B供应商...

更新时间：2025-5-6 14:01:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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