位置：2N5812 > 2N5812详情
2N5812中文资料
2N5812数据手册规格书PDF详情
COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR
2N5812 资料下载更多...
2N5812 芯片相关型号
- 2N5449
- 2N5821
- 2N5823
- DF11-4DS-2V
- DF19K-20S-1CGND
- DF19L-20S-1CGND
- DF22-5P-7.92C
- DF22A-5P-7.92C
- HR24A-8DPB4SA2200A
- JR13RCB-10P
- MAX6390XS27D5-T
- NF-PA-PP-1
- NX1-/CVCK-MP
- PIC16C642-10I/TQ
- PIC16C661-04I/TQ
- PIC16C72AT-04/JW
- PIC16C72AT-04I/JW
- PIC16C72AT-04I/SS
- PIC16C73A-04/PQ
- PIC16C73A-10E/PQ
- PIC16C73A-10I/PQ
- PIC16CR54A-04I/SO
- PIC16CR54A-20I/P
- PIC16F83T-20/SO
- PIC16F83T-20/SS
- PIC16LC716T-04/SS
- PIC17LC752-16I/CL
- PIC17LC756-08/PT
- PIC17LC756-25I/PQ
- PIC18LC252T-E/PT
2N5812 晶体管资料
2N5812别名：2N5812三极管、2N5812晶体管、2N5812晶体三极管
2N5812生产厂家：美国通用电器公司_SEM_美国史普拉各电气公司
2N5812制作材料：Si-NPN
2N5812性质：低频或音频放大 （LF）_TR
2N5812封装形式：直插封装
2N5812极限工作电压：35V
2N5812最大电流允许值：0.75A
2N5812最大工作频率：>135MHZ
2N5812引脚数：3
2N5812最大耗散功率：0.5W
2N5812放大倍数：β>150
2N5812图片代号：A-23
2N5812vtest：35
2N5812htest：135000100
- 2N5812atest：0.75
2N5812wtest：0.5
2N5812代换 2N5812用什么型号代替：BC337,BC338,BC378,BC635,BC637,BC639,BC738,3DK4A,
MICRO-ELECTRONICS相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
