位置：BZW04-44B > BZW04-44B详情
BZW04-44B中文资料
BZW04-44B数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-O
• Glass passivated chip junction in DO-41 package
• 400W surge capability at 1ms
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Low incremental surge resistance
• Excellent clamping capability
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Typical IR less than 1µA above 10V
• High temperature soldering guaranteed: 300°C/10 seconds/ .375, (9.5mm) lead length, 5lbs., (2.3kg) tension
BZW04-44B产品属性
- 类型
描述
- 型号
BZW04-44B
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 44V 400W 5% Bidir
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DBLECTRO |
23+ |
原厂原包 |
29960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
Taiwan Semiconductor(台湾半导 |
24+ |
DO204AL(DO41) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
st |
23+ |
NA |
6486 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST |
21+ |
原厂原封 |
23480 |
||||
VISHAY |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
TAIWANSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
15000 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
TAIWANSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
5000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
GSGI |
24+ |
5500 |
BZW04-44B 资料下载更多...
BZW04-44B 芯片相关型号
MDE相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
MDE Semiconductor, Inc.
中文资料: 4828条
MDE Semiconductor, Inc.是一家创新的，以质量为导向的器件制造商，致力于电路保护产品的单一关注。我们的瞬态电压抑制（TVS）器件专为保护电子系统免受雷电，静电放电（ESD），核电磁脉冲（NEMP）和感应开关的破坏性影响而设计。所有硅器件均采用我们着名的低漏电玻璃钝化工艺制造，具有400瓦至288,000瓦的高能量吸收能力。公司的奉献精神和创新精神提供了按时交付的高质量，低成本产品。我们专注于TVS，对电信，汽车，计算机和工业电子等各种市场的需求有着丰富的知识。MDE半导体公司是电路保护产品的市场领导者，为客户提供广泛的标准和高电流TVS二极管，晶闸管和压敏电阻。
