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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz. • Typical GSM Performanc

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

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MOTOROLA

摩托罗拉

1805-1880 MHz, 30W, 2-Stage Power Module Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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1805-1880 MHz, 30W, 2-Stage Power Module Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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更新时间:2026-5-25 9:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
NI400S
9000
原厂渠道,现货配单
MOTOROLA
23+
高频管
850
专营高频管模块,全新原装!
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465E 04
10000
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2023+
5800
进口原装,现货热卖
2023+
3000
进口原装现货
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25+
4000
全新原装现货库存
FREESCALE
22+
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