型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MW6S010GMR1

RFPowerFieldEffectTransistor

450-1500MHz,10W,28VLATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs DesignedforClassAorClassABbasestationapplicationswithfrequenciesupto1500MHz.Suitableforanaloganddigitalmodulationandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalTwo-TonePerformance@960MHz,VDD=28

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale
MW6S010GMR1

封装/外壳:TO-270BA 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MW6S010GMR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MW6S010GMR1

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2024-5-25 11:52:00
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