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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1-2000 MHz, 4 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications. • Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor

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RF Power Field Effect Transistor

ETC

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更新时间:2025-10-28 11:19:01
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