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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MUN2116T1G

Bias Resistor Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

MUN2116T1G

Bias Resistor Transistors

文件:112.25 Kbytes Page:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2116T1G

Digital Transistors (BRT)

文件:177.75 Kbytes Page:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2116T1G

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

ONSEMI

安森美半导体

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli

MOTOROLA

摩托罗拉

Bias Resistor Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

Bias Resistor Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MUN2116T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MUN2116T1G

  • 功能描述

    TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

  • 系列

    -

  • 标准包装

    10,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN - 预偏压 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧)

    47k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧)

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    - 频率 -

  • 转换

    100MHz 功率 -

  • 最大

    250mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装

    PG-SOT323-3

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    SP000756242

更新时间:2026-8-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SC-59
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
onsemi(安森美)
25+
SC-59
11580
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Cyntec(乾坤)
25+
3.0*1.8*2.5
25000
只做原装正品
CYNTEC
2450+
SMD
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
三年内
1983
只做原装正品
CYNTEC
2223+
QFN
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
CYNTEC乾坤
22+
SMD
20000
CYNTEC/原装最低
25+
SMD
16500
只做原装正品现货 假一赔十
LRC
24+
SC-76SOD-323
30000
CYNTEC乾坤
26+
SMD
18000

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