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MTP50N06VL

TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM

TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resis tance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and

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50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

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东海半导体

MTP50N06VL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP50N06VL

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

更新时间:2025-8-8 13:45:00
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