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MTB4N80E1

TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS

TMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed

MOTOROLA

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更新时间:2026-5-18 18:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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