| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC |   | |
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 60V, 4.5A, RDS(ON) = 55mW @VGS = 10V. FEATURES RDS(ON) = 72mW @VGS = 4.5V. -60V, -3.1A, RDS(ON) = 130mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 170mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | | ||
MMIC wideband medium power amplifier 文件：81.06 Kbytes Page：12 Pages | Philips 飞利浦 | | ||
MMIC wideband medium power amplifier | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF AMPLIFIER MODEL 文件：71.07 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT89 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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2022-8-2MT6625LN/A AOS/万代
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2021-11-18
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