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MT54W4MH9B-4

36Mb QDR?줚I SRAM 2-WORD BURST

4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron® QDR™II (Quad Data Rate™) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat

Micron

美光

MT54W4MH9B-4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT54W4MH9B-4

  • 制造商

    MICRON

  • 制造商全称

    Micron Technology

  • 功能描述

    36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST

更新时间:2025-10-10 20:00:00
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