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MT4LC4M16R6TG-5S	DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are arranged in	Micron 美光	Micron
MT4LC4M16R6TG-5S	DRAM 文件：413.1 Kbytes Page：24 Pages	Micron 美光	Micron
MT4LC4M16R6TG-5	DRAM GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are arranged in	Micron 美光	Micron
MT4LC4M16R6TG-5	DRAM 文件：413.1 Kbytes Page：24 Pages	Micron 美光	Micron

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更新时间：2025-10-31 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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MT4KTF25664HZ-1G9
进口代理
2023-6-16
MT51J256M32HF-80:B 原装现货特价销售
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2021-8-9
MT52L512M32D2PF-107 WT:B 假一罚十
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2021-5-29
MT52L512M32D2PU-107 WT
MT52L512M32D2PU-107 WT MICRON/美光 2020+ BGA 100000 MT52L768M32D3PU-107 WT MICRON/美光 2020+ BGA 100000 MT52L256M64D2LZ-107 WT MICRON/美光 2020+ BGA 100000 MT52L512M32D2PF-107 WT MICRON/美光 2020+ BGA 100000 MT52L512M64D4GN-107 WT MICRON/美光 2020+ BGA 100000 MT52L256M64D2PP-107 WT MICRON/美光
2021-5-26
MT48LC8M16A2P-75IT:G 深圳旭亨半导体有限公司
MT48LC8M16A2P-75IT:G MICRON 原装现货长期供应 QQ：2880524281
2021-4-22
MT48LC8M16A2TG-75:G 深圳旭亨半导体有限公司
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2021-4-22