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DRAM

GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

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更新时间:2024-9-24 22:30:01
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