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位置：首页 > IC中文资料第12839页 > MT47H64M16HR-25L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MT47H64M16HR-25L

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

Micron

美光

MT47H64M16HR-25AT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H64M16HR-25EAT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H64M16HR-25EIT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H64M16HR-25EITH

DDR2 SDRAM MT47H256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

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MT47H64M16HR-25L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT47H64M16HR-25L

  • 制造商

    MICRON

  • 制造商全称

    Micron Technology

  • 功能描述

    DDR2 SDRAM

MT47H64M16HR-25L供应商更多...

更新时间：2025-11-17 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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