型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MT47H64M16HR-187E:H

封装/外壳:84-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MT47H64M16HR-187E:H

DDR2 1G X16 FBGA

Micron

美光

封装/外壳:84-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

Micron

美光

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

Micron

美光

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup

Micron

美光

MT47H64M16HR-187E:H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT47H64M16HR-187E:H

  • 功能描述

    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,000

  • 系列

    MoBL® 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 异步

  • 存储容量

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度

    45ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
micron(镁光)
24+
标准封装
13048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
MRON/镁光
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NA/
3313
原装现货,当天可交货,原型号开票
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