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MT47H128M8HQ-37EAT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-37EIT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-37EL	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3AT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3EAT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3EIT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3EL	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3IT	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3L	DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Dup	Micron 镁光	Micron
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR	封装/外壳：60-FBGA 包装：卷带（TR）描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDA 美光科技	ELPIDA
MT47H128M8HQ-3 L:G	封装/外壳：60-FBGA 包装：卷带（TR）描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路（IC）存储器	ELPIDA 美光科技	ELPIDA

MT47H128M8HQ-3产品属性

类型
描述
型号
MT47H128M8HQ-3
制造商
Micron Technology Inc

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更新时间：2025-8-7 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MT47H128M8HQ-3IT:E	micron(镁光)	24+	标准封装	7068	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MT47H128M8HQ-3IT:G	MRON/美光	24+	NA/	4050	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MT47H128M8HQ-3IT:G	MICRON/美光	25+	BGA	32360	MICRON/美光全新特价MT47H128M8HQ-3IT:G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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MT47H128M16RT-25E:C MICRON 原装现货长期供应 0755-23615656 / 185 6669 6862 QQ：2880524286
2021-4-15
MT47H32M16NF-25E:H
SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器 , BGA-54 SDRAM 动态随机存取存储器 , SDRAM 32 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 512 Mbit SDRAM 32 bit 133 MHz - 40 C 动态随机存取存储器 , 512 Mbit TSOP-54 SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器
2020-7-8
MT47H128M8SH-25E IT:M
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2020-4-22
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瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-1-13
MT47H128M16RT-25EIT:C原装现货，诚信经营
MT47H128M16RT-25E IT:C
2019-7-4

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