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DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM

General Description The 1Gb DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 1,073,741,824 bits. It is internally configured as a quad bank DRAM. Features •VDD= +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V • Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/received with data, i.

Micron

美光

封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MT46V128M8TG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT46V128M8TG

  • 功能描述

    IC DDR SDRAM 1GBIT 6NS 66TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-10-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
micron(镁光)
24+
标准封装
12548
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