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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MT41J128M16HA-15E:D | 封装/外壳：96-TFBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 集成电路（IC） 存储器 | MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司 |  |   |
封装/外壳：96-TFBGA 包装：托盘 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 集成电路（IC） 存储器 | MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司 | | | |
DDR3SDRAMMT41J512M4??64Megx4x8BanksMT41J256M8??32Megx8x8BanksMT41J128M16??16Megx16x8Banks DDR3SDRAM 2Gb:x4,x8,x16DDR3SDRAM Features •VDD=VDDQ=1.5V±0.075V •1.5Vcenter-terminatedpush/pullI/O •Differentialbidirectionaldatastrobe •8n-bitprefetcharchitecture •Differentialclockinputs(CK,CK#) •8internalbanks •Nominalanddynamicon-di | MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司 | | | |
DDR3SDRAMMT41J512M4??64Megx4x8BanksMT41J256M8??32Megx8x8BanksMT41J128M16??16Megx16x8Banks 文件：2.90783 Mbytes Page：211 Pages | MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司 | | |
MT41J128M16HA-15E:D产品属性
- 类型
描述
- 型号
MT41J128M16HA-15E:D
- 功能描述
IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96FBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
2,000
- 系列
MoBL® 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 异步
- 存储容量
16M（2M x 8，1M x 16）
- 速度
45ns
- 接口
并联
- 电源电压
2.2 V ~ 3.6 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
48-VFBGA
- 供应商设备封装
48-VFBGA（6x8）
- 包装
带卷(TR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT |
BGA |
10+ |
502 |
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BGA |
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MICRON |
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2022-12-29MT41K128M16JT-125
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2022-9-8MT40A512M8RH-083E:B 深圳旭亨半导体有限公司
MT40A512M8RH-083E:BMICRON原装现货长期供应0755-88879678/13168036460QQ：2880524281
2021-4-16MT41J64M16JT-15E
产品属性属性值搜索类似 制造商:MicronTechnology 产品种类:动态随机存取存储器 系列:MT41J 商标:Micron 产品类型:DRAM 子类别:Memory&DataStorage
2020-8-28MT40A512M8RH-083EIT:B原装现货
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2019-7-5
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