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MT28F640J3FS-11

Q-FLASHTM MEMORY

GENERAL DESCRIPTION The MT28F128J3 is a nonvolatile, electrically block erasable (Flash), programmable memory containing 134,217,728 bits organized as 16,777,218 bytes (8 bits) or 8,388,608 words (16 bits). This 128Mb device is organized as one hundred twenty-eight 128KB erase blocks. The MT28F64

Micron

美光

Q-FLASHTM MEMORY

GENERAL DESCRIPTION The MT28F128J3 is a nonvolatile, electrically block erasable (Flash), programmable memory containing 134,217,728 bits organized as 16,777,218 bytes (8 bits) or 8,388,608 words (16 bits). This 128Mb device is organized as one hundred twenty-eight 128KB erase blocks. The MT28F64

Micron

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封装/外壳:64-FBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

Micron

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IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

Micron

美光

封装/外壳:64-FBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 集成电路(IC) 存储器

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IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

Micron

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MT28F640J3FS-11产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT28F640J3FS-11

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    NAND Flash Parallel 3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 115ns 64-Pin FBGA Tray

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MRON/美光
24+
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10600
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