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MT2305

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters

VBSEMI

微碧半导体

Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16

NTE

丝印代码:A5***;P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件:228.09 Kbytes Page:14 Pages

NSC

国半

PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

更新时间:2026-7-24 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOS-TECH
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
VBSEMI
24+
SOT-23-3
48240
全新 发货1-2天
MT
23+
SOT23
65480
M
23+
SOT-23
6000
原装正品,假一罚十
MT
新年份
SOT23-3
3014
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MT
24+
SOT-233K
39000
美芯晟科技
23+
ESOP-7
25000
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SOT-23-3L
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  • MT25QL128ABA1ESE0SIT

    128 Mbit SOIC-8 SPI NOR闪存 , SOIC-8 NOR闪存 , S29GL512N/256N/128N NOR闪存 , USON-8 QPI, SPI NOR闪存 , - 55 C NOR闪存 , 1.95 V 1.65 V NOR闪存

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