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MT2301ACTR	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTE2301	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin	NTE	NTE
CNB2301	Reflective Photosensor 文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
LMX2301	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2301TMX	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
TLE2301INE	EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages	TI 德州仪器	TI

MT2301ACTR供应商更多...

更新时间：2026-7-24 18:43:00

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2023-2-25
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2022-7-16
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2022-5-16
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2021-8-19
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2021-8-19
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128 Mbit SOIC-8 SPI NOR闪存 , SOIC-8 NOR闪存 , S29GL512N/256N/128N NOR闪存 , USON-8 QPI, SPI NOR闪存 , - 55 C NOR闪存 , 1.95 V 1.65 V NOR闪存
2020-7-8