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SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·Lowcapacitancesandlowgatecharge ·RDS(ON)=50mΩ(MAX)@VGS=20VTJ=25℃ ·Fastandreliablebodydiodee ·Superioravalancheruggedness APPLICATIONS ·Smartgridtransmissionanddistribution ·Inductionheatingandwelding ·Powersupplyanddistribution ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-22 23:00:01
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