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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35010R1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3.5 GHz, 10 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications. • Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35010R1 | 封装/外壳：NI-360HF 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010R1 | 3.5 GHz, 10 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010R1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35010R1
- 功能描述
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
24+ |
NI-360HF |
1500 |
原装现货假一罚十 |
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FREESCA |
23+ |
NI-360H |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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FREESCALE |
24+ |
NA/ |
480 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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FSL |
24+ |
122 |
现货供应 |
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FREESCALE |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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FREESCALE |
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12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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FREESCALE |
0507+ |
NI-360HF |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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Description |
10000 |
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MRFG35010R1规格书下载地址
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