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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35010NT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35010NT1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010NT1 | 3.5 GHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35010NT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35010NT1
- 功能描述
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
266 |
现货供应 |
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Freescale |
24+ |
PLD-1.5 |
3000 |
原装现货假一罚十 |
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FREESCA |
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NI-360H |
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FREESCALE |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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FREESCALE |
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Freescale |
NA |
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Freescale |
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SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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FREESCALE |
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