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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35005NT1 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 3.5 GHz, 4.5 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications. • Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts, IDQ = 80 | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFG35005NT1 | 3.5 GHz, 4.5 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRFG35005NT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35005NT1
- 功能描述
MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NA/ |
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