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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35003M6T1 | GALLIUMARSENIDEPHEMT 3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT Designedfor3.5GHzWLL/MMDS/BWAorUMTSapplications.Characterizedfrom0.5to5.0GHz.DeviceisunmatchedandischaracterizedforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalW–CDMAPerformance:–42dBcACPR,3.55GHz,6Vo | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  |   |
MRFG35003M6T1 | GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：132.28 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |  | |
MRFG35003M6T1 | 封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：132.28 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRFG35003M6T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35003M6T1
- 功能描述
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
freescale |
18+ |
PLD 1.5 |
315 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
21+ |
PLD-1.5 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FREESCALE |
04+31 |
9 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCALE |
24+ |
230 |
现货供应 |
||||
恩XP |
22+ |
PLD1.5 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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优势渠道
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2020-12-4MRF6V3090NR5 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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2020-11-24
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