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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RFPowerLDMOSTransistors RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  |   | |
封装/外壳：NI-1230S-4 GW 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs 文件：857.08 Kbytes Page：23 Pages | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  | | |
RFPowerLDMOSTransistors RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
RFPowerLDMOSTransistors 文件：1.041589 Mbytes Page：22 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
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MRFE6VP61K25GS产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFE6VP61K25GS
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
21+ |
NI-1230 |
6000 |
原装现货 |
|||
Freescale |
1930+ |
N/A |
97 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
FREESCALE/NXP |
TO-59 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
||||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NI-1230 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-1230S-4 GW |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
NXP/恩智浦 |
21+ |
NI-1230 |
6000 |
原装正品 |
|||
Freescale |
22+ |
NA |
97 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
FREESCALE |
2017+ |
NA |
2000 |
进口原装现货询价 |
|||
Freescale |
15+ |
4095 |
全新进口原装 |
||||
NXP/恩智浦 |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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