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RFPowerFieldEffectTransistorN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

freescale
更新时间:2025-7-20 17:10:01
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