MRFE6S9060NR价格

参考价格:¥148.8474

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

880 MHz, 14 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large - signal, common - source amplifier app

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

封装/外壳:TO-270AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor

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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRFE6S9060NR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFE6S9060NR

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-9 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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