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MRF9060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen cies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF9060NBR1

封装/外壳:TO-272-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 945MHZ TO272-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF9060NBR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF9060NBR1

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-11-24 20:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
101
现货供应
Freescale(飞思卡尔)
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NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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TO-270AA
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24+
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5500
长期供应原装现货实单可谈
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85600
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23+
TO2722
8000
只做原装现货

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