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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF8S9200NR3 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 920-960 MHz, 58 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF8S9200NR3 | RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：491.92 Kbytes Page：13 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF8S9200NR3 | 封装/外壳：OM-780-2 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 70V 940MHZ OM780-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：491.92 Kbytes Page：13 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF8S9200NR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8S9200NR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
飞思卡尔 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Freescale |
16+ |
NA |
16724 |
全新进口原装 |
|||
恩XP |
2450+ |
OM-780-2 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FREESCALE |
23+ |
OM780-2 |
2508 |
原厂原装正品 |
|||
Freescale(飞思卡尔) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
恩XP |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FREESCALE原现 |
24+ |
OM-780-2 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
FREESCALE |
24+ |
211 |
现货供应 |
||||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
9663 |
我们只是原厂的搬运工 |
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- MRG1781
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- MRF951
- MRF947
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